교수소개

오재응 교수

전자공학부

연락처 : 031-400-5177

담당과목

학부: 물리전자, 소자모델링 및 공정
대학원: 고속반도체소자, 반도체공학세미나

관심연구분야

나노 소자, 전력 소자, 원자층 박막 증착, 이종접합 에피탁시

학력

 1981년도 한양대학교 전자공학과 공학사
 1984년도 (미)Univ. of Nabraska, 전자공학과 공학석사
 1986년도 (미) Univ. of Nabraska, 전자공학과 공학박사

경력

 1998 ~ 현재 : 한양대학교 전자 및 통신공학과 교수
 1998 ~ 1999 : Visiting Scholar, LG 중앙연구소
 1993 ~ 1998 : 한양대학교 전자공학과 부교수
 1989 ~ 1993 : 한양대학교 전자공학과 조교수
 1988~1989 : The University of Michigan, Research Associate.
 1987~1988 : The University of Michigan, Postdoctoral Fellow.
 2011~present : IV Works, Inc., Korea
 2000~2005 : Wavics Incorporation, U.S.A.
 2005~2009 : Avago Technologies, U.S.A.
 2004~2006 : Jusung Engineering, Korea
 2004~2010 : Korea Vacuum Technology, Korea

주요연구과제

 Smart Power IC를 위한 GaN 와 Si 기판의 이종결정성장 기술 개발 2012.06.30~2013.06.29 / (재)한국연구재단
 OLED 봉지용 고속 ALD 기술개발 2011.02.01~2013.01.31 / 삼성디스플레이
 저결함 GaN on Si을 이용한 고효율 에너지 변환 전력소자 개발 2010.09.17~2012.09.16 / (재)한국연구재단
 이종 반도체 기판 성장 기술 2000.04.01~2010.03.31 / (재)테라급나노소자개발사업단
 Ⅲ-Ⅴ 나노소자의 Si 기판과의 집적화에 관한 연구 2009.04.01~2010.03.31 / 서울대학교 산학협력단
 미래형 하이브리드카의 핵심 전자부품 개발 사업 2008.03.01~2009.02.28 / BK-21 Project
 MBE를 이용한 GaAs/Ge/Si 성장에 관한 연구 2009. 1 ~ 2009. 12 / 우리ETI(주)
 InGaP HBT의 특성측정 및 모델링 연구 2003. 1 ~ 2005. 12 / (주) 웨이브아이씨스

주요논문

 Y. K. Noh, JH Seo, H. S. Choi, M. D. Kim, J. E. Oh, "Thickness dependence of temperature-induced emission mechanism in InGaN/AlGaN short-period superlattices", J.
 Appl. Phys. Vol 112, PP 043102, (2012).
 K. R. Peta, B. G. Park, S. T. Lee, M. D. Kim, J. E. Oh, "Temperature-dependent electrical Properties of (Pt/Au)/Ga-polarity GaN/Si(111) Schottky diode", Microelectronic
 Engineering, Vol. 93. 100-104 (2012)
 S. T. Lee, B. G. Park, M. D. Kim, J. E. Oh, S. G. Kim, Y. H. Kim, W. C. Yang, "Control of polarity and defects in the growth of AlN films on Si (111) surfaces by inserting an
 Al interlayer", Current Applied Physics, Vol.12. 385-388 (2012)
 Y. H. Kim, C. S. Kim, Y. K. Noh, M. D. Kim, J. E. Oh, "Substrate temperature dependence of the phase transition behavior of AlN layers grown on Si(111) substrate by
 metalorganic chemical vapor deposition", Journal of Crystal Growth, Vol. 334. 189-194 (2011)
 Y. K. Noh, M. D. Kim, J. E. Oh, "Reduction of Internal Polarization Fields in InGaN quantum wells by InGaN/AlGaN ultra-thin superlattice barriers with different indium
 composition", J. Appl. Phys., Vol.110. 123108 (2011)